UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN8x8 表面贴装封装、同时具有业界最低RDS（on）的 SiC FET 器件 UF3SC065030D8 和 UF3SC065040D8，这些 650V SiC FET 能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。

新发布的产品应用范围包括无线和电信系统中 50～500KHz 频率范围的 LLC 和相移全桥（PSFB）功率转换，以及功率因数校正（PFC）中的标准硬开关等领域。

新产品中的 UF3SC065030D8S 是 650V SiC FET，RDS（on）为 34mΩ。而 UF3SC065040D8S 也是 650V SiC FET，但 RDS（on）为 45mΩ。这些新产品在该电压等级的 DFN 8x8 封装开关器件中具有最低的 RDS（on）。两款 SiC FET 的额定电流均为 18A（受封装中的引线数量限制），最高工作温度为 150℃。

这些器件采用 UnitedSiC 独特的堆叠式共源共栅（stack cascode）配置，将常开型（normally-on）SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一起，从而构建出常关型（normally-off）SiC FET 器件。 SiC FET 可以采用 0～10V 或 0～12V 电压驱动，其栅极驱动特性与标准 Si FET、IGBT 和 SiC MOSFET 的栅极驱动特性完全匹配。这些器件还具有开尔文栅极返回（Kelvin gate return）功能，以实现更完美的驱动特性。

SiC FET 与其他 DFN 8x8 封装开关器件引脚兼容，能够通过“直接替换”而实现性能改进。由于其较低的功耗，能够在较高频率下进行开关，设计人员可以在空间有限的设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度。此外，扁平型 DFN 8x8 表面贴装封装可支持低电感设计。通过使用烧结银（sintered silver）芯片贴装技术，可以实现非常低的结壳热阻。

UnitedSiC 的 UF3SC065030D8S 和 UF3SC065040D8S 具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性，因而非常适合于在任何采用标准栅极驱动器的应用中开关电感负载。新产品在高达 500KHz 的开关频率下驱动器损耗最小，还可用于高频设计。由于这些器件坚固耐用，具有低反向恢复电荷（Qrr），因此可轻松进行硬开关操作。

所有这些器件均具有内置的 ESD 保护，DFN8x8 器件的防护等级为 MSL3。售价方面，UF3SC065030D8S 的参考单价为 10.92 美元，UF3SC065040D8S 的参考单价为 7.70 美元。